کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
543545 871667 2011 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal analysis of oxide-confined VCSEL arrays
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Thermal analysis of oxide-confined VCSEL arrays
چکیده انگلیسی

A thermo-electric 3-D analysis of 980 nm vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays based on the finite element method (FEM) is presented in this paper. High performance VCSEL array structures with square mesas are modeled by applying a steady-state 3-D heat dissipation model. Several oxide aperture diameters (Da), substrate thicknesses, current densities, array sizes, heat flux, and temperature profiles are considered. The analysis shows that the maximum internal temperature of a VCSEL array ranges from 306.5 K for a 20 μm Da, 100 μm substrate thickness, 666 A/cm2 current density, and a 1×1 array size to 412 K for a 5 μm Da, 300 μm substrate thickness, 1200 A/cm2 current density, and a 4×4 array size.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 42, Issue 5, May 2011, Pages 820–825
نویسندگان
, , ,