کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543545 | 871667 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal analysis of oxide-confined VCSEL arrays
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A thermo-electric 3-D analysis of 980 nm vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays based on the finite element method (FEM) is presented in this paper. High performance VCSEL array structures with square mesas are modeled by applying a steady-state 3-D heat dissipation model. Several oxide aperture diameters (Da), substrate thicknesses, current densities, array sizes, heat flux, and temperature profiles are considered. The analysis shows that the maximum internal temperature of a VCSEL array ranges from 306.5 K for a 20 μm Da, 100 μm substrate thickness, 666 A/cm2 current density, and a 1×1 array size to 412 K for a 5 μm Da, 300 μm substrate thickness, 1200 A/cm2 current density, and a 4×4 array size.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 42, Issue 5, May 2011, Pages 820–825
Journal: Microelectronics Journal - Volume 42, Issue 5, May 2011, Pages 820–825
نویسندگان
Jinhui Wang, Ioannis Savidis, Eby G. Friedman,