کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543777 | 871684 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Correlation between nitrogen and carbon incorporation into MOVPE ZnO at various oxidizing conditions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Nitrogen-doped ZnO films with preferential (0 0 0 1) orientation were synthesized on c-Al2O3 and Si substrates by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) using tertiary butanol (t-BuOH) and/or N2O as oxidizers for diethylzinc (DEZ). A striking correlation between nitrogen and carbon incorporation into ZnO was revealed by concentration versus depth profiling employing secondary ion mass spectrometry (SIMS), consistently with recently reported simulations of nitrogen–carbon complexing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 2, February 2009, Pages 232–235
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 2, February 2009, Pages 232–235
نویسندگان
J.J. Zhu, L. Vines, T. Aaltonen, A. Yu. Kuznetsov,