Chemical stability of silicon nitride coatings used in the crystallization of photovoltaic silicon ingots. Part II: Stability under argon flow

پردازش سیلیکون فتوولتائیک توسط جامد سازی در حال حاضر تحت جریان آرگون در کانی های سیلیکا پوشش داده شده با پودر نیترید سیلیکون اکسید شده انجام می شود. یک سری آزمایش ها برای مطالعه واکنش بین اجزای پوشش تحت جریان آرگون با تغییر درجه حرارت، زمان نگهداری و مقدار اکسیژن در پوشش انجام شد. نتایج با استفاده از یک مدل تحلیلی ساده با در نظر گرفتن انتقال نفوذی از واکنش گازهای گازی از داخل پوشش متخلخل به آرگون جریان بحث می شود. نتیجه گیری کشیده شده برای بحث در مورد جنبه های مختلف عملیاتی از فرایند سیلیکون فتوولتائیک استفاده می شود.