کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5442133 | 1510684 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nitrogen-concentration modulated interface quality, band alignment and electrical properties of HfTiON/Ge gate stack pretreated by trimethylaluminum precursor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Nitrogen-concentration modulated interface quality, band alignment and electrical properties of HfTiON/Ge gate stack pretreated by trimethylaluminum precursor Nitrogen-concentration modulated interface quality, band alignment and electrical properties of HfTiON/Ge gate stack pretreated by trimethylaluminum precursor](/preview/png/5442133.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 91, July 2017, Pages 166-172
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 91, July 2017, Pages 166-172
نویسندگان
J. Gao, G. He, D.Q. Xiao, S.S. Jiang, J.G. Lv, C. Cheng, Z.Q. Sun,