کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5442179 | 1510687 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High nitrogen composition-induced low interfacial roughness of GaAs0.978N0.022/GaAs multiple quantum wells grown through solid-source molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High nitrogen composition-induced low interfacial roughness of GaAs0.978N0.022/GaAs multiple quantum wells grown through solid-source molecular beam epitaxy High nitrogen composition-induced low interfacial roughness of GaAs0.978N0.022/GaAs multiple quantum wells grown through solid-source molecular beam epitaxy](/preview/png/5442179.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 88, April 2017, Pages 242-247
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 88, April 2017, Pages 242-247
نویسندگان
Mahitosh Biswas, Binita Tongbram, Nilesh Shinde, Roshan Lal Makkar, Anuj Bhatnagar, Subhananda Chakrabarti,