کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5442255 | 1510686 | 2017 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of stacking faults on the quality of GaN films grown on sapphire substrate using a sputtered AlN nucleation layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 89, May 2017, Pages 193-196
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 89, May 2017, Pages 193-196
نویسندگان
Zhibin Chen, Jincheng Zhang, Shengrui Xu, Junshuai Xue, Teng Jiang, Yue Hao,