کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5442255 1510686 2017 17 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of stacking faults on the quality of GaN films grown on sapphire substrate using a sputtered AlN nucleation layer
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Influence of stacking faults on the quality of GaN films grown on sapphire substrate using a sputtered AlN nucleation layer
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 89, May 2017, Pages 193-196
نویسندگان
, , , , , ,