کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5447606 | 1511504 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 102, March 2017, Pages 151-156
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 102, March 2017, Pages 151-156
نویسندگان
A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.V. Redkov,