کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5448414 | 1511779 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical prediction for the band gap of semiconductor nanoparticles as function of bond number
ترجمه فارسی عنوان
پیش بینی نظری برای شکاف باند نانوذرات نیمه هادی به عنوان عملکرد تعداد پیوند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نانوساختارها، نیمه هادی، خواص الکتریکی، خواص ترمودینامیکی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Taken bond number as the only parameter, an unified model for the size-dependent band gap Eg(D) of semiconductor nanoparticles is established in this work, with D being the particle size. As expected, the band gap increases with size dropping, and the success of the model is confirmed not only by the results of single elemental Si nanoparticles but also by the II-VI semiconductor compounds nanoparticles even in full size range. Based on the bond number of cubooctahedron which is used to describe the shape of the nanoparticles in this work, a good agreement between the model predictions and experimental, first-principle calculation results is obtained. Since there is no other adjustable parameter, the established model presents a possible way to predict the band gap of other nanostructure as long as its bond number is known.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 184, 1 December 2016, Pages 285-290
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 184, 1 December 2016, Pages 285-290
نویسندگان
H.J. Xiao, H. Li, L. Chang, H.X. Zhang, H.C. Xuan,