کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5450386 | 1398501 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancement of figure of merit (ZT) by doping Bi in Mg2Si for energy harvesting applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Magnesium Silicide is one of the interesting thermoelectric materials known for relative abundance of its constituents, thermal stability, non-toxicity and environmental friendly nature. In this paper we have theoretically studied Bi doped Mg2Si. The electronic structure calculations predict non-existence of the energy gap for Mg2Si1âxBix with (0.125⤠xâ¤0.5). It has been found that the system with x=0.125 exhibits highest Seebeck coefficient and electrical conductivity. Due to low thermal conductivity at x=0.125, Mg2Si0.875Bi0.125 attained maximum value of dimensionless figure of merit 0.67 at 1200 K. With increase in concentration of Bi, the value of figure of merit decreases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Natural Science: Materials International - Volume 26, Issue 6, December 2016, Pages 533-539
Journal: Progress in Natural Science: Materials International - Volume 26, Issue 6, December 2016, Pages 533-539
نویسندگان
Kulwinder Kaur, Ranjan Kumar,