کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5451936 | 1513732 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mg vacancy and dislocation strains as strong phonon scatterers in Mg2Si1âxSbx thermoelectric materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The high contents of aliovalent Sb alloying in Mg2Si not only result in Mg vacancy, but also induce dense dislocations with intensive strain accumulation, which act as extra phonon scatterers and contribute to the significantly reduced lattice thermal conductivity in the Sb alloyed Mg2Si, compared to the Sn alloyed Mg2Si with the same amount of Si sites substituted.175
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 34, April 2017, Pages 428-436
Journal: Nano Energy - Volume 34, April 2017, Pages 428-436
نویسندگان
Jiazhan Xin, Haijun Wu, Xiaohua Liu, Tiejun Zhu, Guanting Yu, Xinbing Zhao,