کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5451936 1513732 2017 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mg vacancy and dislocation strains as strong phonon scatterers in Mg2Si1−xSbx thermoelectric materials
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Mg vacancy and dislocation strains as strong phonon scatterers in Mg2Si1−xSbx thermoelectric materials
چکیده انگلیسی
The high contents of aliovalent Sb alloying in Mg2Si not only result in Mg vacancy, but also induce dense dislocations with intensive strain accumulation, which act as extra phonon scatterers and contribute to the significantly reduced lattice thermal conductivity in the Sb alloyed Mg2Si, compared to the Sn alloyed Mg2Si with the same amount of Si sites substituted.175
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 34, April 2017, Pages 428-436
نویسندگان
, , , , , ,