کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5458257 | 1516165 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of solution-processed nitrogen-doped niobium zinc tin oxide thin film transistors using ethanolamine additives
ترجمه فارسی عنوان
تهیه ترانزیستورهای فیلم نازک قلع اکسید نیتروژن با محلول نیتروژن با استفاده از افزودنی اتانول آمین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
فرآیند حل، مونو اتانولامین، ترانزیستور فیلم نازک، نیتروژن، اکسید،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
چکیده انگلیسی
In this study, we fabricated the nitrogen-doped NbZnSnO channel layers by using the sol-gel method. Monoethanolamine (MEA) was used as a nitrogen additive. From the XPS results, the concentration of oxygen vacancies changes as a function of MEA/Nb ratio. A NbZnSnO film with MEA/Nb of 0.2 shows the lowest amount of oxygen vacancies. TFT electrical performance also shows a device with an MEA/Nb ratio of 0.2 possesses a high carrier mobility (7.4Â cm2Â Vâ1sâ1) and good bias stress stability. In addition, we also investigated the effect of the aging time of precursor solution on the electrical characteristics of the TFT. After adding MEA, the annealing temperature of the NbZnSnO channels can be reduced, pertaining to the acceleration of the hydrolysis and condensation reaction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 729, 30 December 2017, Pages 370-378
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 729, 30 December 2017, Pages 370-378
نویسندگان
Jiann-Shing Jeng, Chi-Min Wu,