کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5459472 | 1516176 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interfacial trap-induced confinement of mobile carriers during illumination at a pentacene/lead-sulfide functional interface
ترجمه فارسی عنوان
محاصره ناشی از تله ناشی از حامل های تلفن همراه در هنگام روشنایی در یک رابط عملکردی پنتاکن / سرب سولفید
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سولفید سرب، رابط، ترانزیستور،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
چکیده انگلیسی
Interfacial electronic properties at the pentacene/lead sulfide (PbS) interface in the dark under illumination were studied. With a small size of PbS colloidal quantum dot (CQD) (2.7Â nm), photoinduced charge transfer at the pentacene/PbS CQD interface leads to a large threshold voltage shift in a pentacene/PbS CQD field effect transistor (FET). Through estimation of interfacial trap density by sub-threshold slope measurements in an FET structure, the mechanism by which threshold voltage shift occurs is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 718, 25 September 2017, Pages 453-458
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 718, 25 September 2017, Pages 453-458
نویسندگان
Youngjun Kim, Byoungnam Park,