کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5459502 | 1516186 | 2017 | 33 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence properties and energy level of RE (REÂ =Â Pr, Sm, Tb, Er, Dy) in Y4Si2O7N2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photoluminescence properties and energy level of RE (REÂ =Â Pr, Sm, Tb, Er, Dy) in Y4Si2O7N2 Photoluminescence properties and energy level of RE (REÂ =Â Pr, Sm, Tb, Er, Dy) in Y4Si2O7N2](/preview/png/5459502.png)
چکیده انگلیسی
Energy level scheme showing the 4f ground states of the trivalent (filled square) and divalent ions (filled circle) and lowest energy 5d states of the trivalent (open square) and divalent ions (open circle) relative to the valence and conduction band of Y4Si2O7N2. The red dashed horizontal line is the optical band gap of Y4Si2O7N2. The arrows (1-4) indicate the experimentally determined transitions used to construct this scheme.179
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 708, 25 June 2017, Pages 154-161
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 708, 25 June 2017, Pages 154-161
نویسندگان
Guo-Jun Wang, Dong-Jie Pan, Tao Xu, Guang-Xin Xiang, Zhi-Jun Zhang, Hubertus T. Hintzen, Jing-Tai Zhao, Yan Huang,