کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5460577 1516195 2017 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Few-layer arsenic trichalcogenides: Emerging two-dimensional semiconductors with tunable indirect-direct band-gaps
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Few-layer arsenic trichalcogenides: Emerging two-dimensional semiconductors with tunable indirect-direct band-gaps
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 699, 30 March 2017, Pages 554-560
نویسندگان
, , , , ,