کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5462685 | 1517180 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diode laser annealing of epitaxy Ge on sapphire (0Â 0Â 0Â 1) grown by magnetron sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 208, 1 December 2017, Pages 35-38
Journal: Materials Letters - Volume 208, 1 December 2017, Pages 35-38
نویسندگان
Ziheng Liu, Xiaojing Hao, Jialiang Huang, Anita Ho-Baillie, Sergey Varlamov, Martin A. Green,