کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5463201 | 1517192 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of silicon carbide nanowire on insulator through direct wet oxidation
ترجمه فارسی عنوان
تشکیل نانوسیم سیلیکون کاربید روی عایق از طریق اکسیداسیون مستقیم مرطوب
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Silicon carbide on insulator is a promising platform for electronic devices at high temperature as well as for opto-electrical applications. Utilizing the chemical inertness of SiC, this work presents a novel technique to form cubic-silicon carbide (3C-SiC) on silicon dioxide (SiO2) by using silicon wet-thermal-oxidation. Experimental data confirmed that SiO2 was successfully formed underneath of 300Â nm width SiC nanowires, while the properties of SiC was almost unaffected during the oxidation process. This simple technique will open the pathway to the development of SiCOI (SiC on insulator) based electrical and optical applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 196, 1 June 2017, Pages 280-283
Journal: Materials Letters - Volume 196, 1 June 2017, Pages 280-283
نویسندگان
Hoang-Phuong Phan, Ginnosuke Ina, Toan Dinh, Takahiro Kozeki, Tuan-Khoa Nguyen, Takahiro Namazu, Afzaal Qamar, Dzung Viet Dao, Nam-Trung Nguyen,