کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5463617 | 1517199 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Near-ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diodes with n-ZnO nanorod/p-GaN direct-bonding heterojunction structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We demonstrate the fabrication and characterization of ZnO nanorods (NRs)/GaN-based heterojunction direct-bonding light-emitting diodes (LEDs) by using Al-doped ZnO (AZO) conductive glass acting as a substrate for the first time. Under the forward bias, the n-ZnO/p-GaN heterojunction can display a pure near-ultraviolet electroluminescence (EL) emission located at 390Â nm, while the deep-level (DL) emission had been almost totally suppressed. The EL origination and corresponding carrier transport mechanisms were investigated qualitatively according to PL results and energy band diagram.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 189, 15 February 2017, Pages 144-147
Journal: Materials Letters - Volume 189, 15 February 2017, Pages 144-147
نویسندگان
Cheng Chen, Jun Zhang, Jingwen Chen, Shuai Wang, Renli Liang, Wei Zhang, Jiangnan Dai, Changqing Chen,