کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5465019 | 1517562 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Plasma-enhanced chemical vapor-deposited organic dielectric layer for low voltage, flexible organic thin-film transistor
ترجمه فارسی عنوان
ترانسفورماتور نازک آلومینیومی آلیاژی انعطاف پذیر با استفاده از پلاسمای شیمیایی که به صورت شیمیایی حاوی آلای دی اکسید آلومینیوم ذخیره می شود
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستور فیلم نازک آلی، لایه دی الکتریک آلی، بستر انعطاف پذیر، ولتاژ پایین،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
We investigated the electronic properties of pentacene-based organic thin-film transistors (OTFTs) incorporated with an organic dielectric layer (ODL) fabricated using a homemade, cold plasma-enhanced chemical vapor deposition system. Ar-carried trimethylaluminum monomer was introduced into an evaporator mixer controlled at 130 °C, and an ODL was deposited on Si- or indium tin oxide (ITO)-coated plastic substrate under N2 plasma. High radio frequency power (100 W)-deposited ODL (dielectric constant κ = 1.6) supported the fabrication of pentacene-based OTFT on Si substrate at low voltages (< 1.5 V). The decreased deposition time (10 min) reduced the film thickness of the ODL (95 nm), thereby increasing its dielectric constant to 3.3. We also deposited ODL on ITO-coated plastic substrate to fabricate a flexible OTFT with a mobility of 2.1 cm2/Vs and an on/off current ratio (Ion/Ioff) of 103.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 320, 25 June 2017, Pages 554-558
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 320, 25 June 2017, Pages 554-558
نویسندگان
C.-M. Chou, C.-W. Chang, K.-H. Wen, Vincent K.S. Hsiao,