Modeling of carbon penetration into silicon structure under the action of pulsed high-intensity ion beam

عمل پرتو با شدت شدید یون های کربن بر روی یک نمونه سیلیکونی با استفاده از مدل سازی عددی، نشان دهنده تشکیل پروفیل غلظت کربن عمق در شبکه کریستالی سیلیکون است. ما سه روش پروفیل را مورد بررسی قرار دادیم: پیوند یونهای کوتاه مدت، مکانیزم اتمهای بازخوانی و انتشار حرارتی اتمهای کربن بر روی سطح سیلیکون جذب شده است. این دومین نتیجه گرادیان درجه حرارت بالا است که در اثر تابش یون پرشده با شدت پالس همراه است. استدلال می شود که فرآیند انتشار در شکل گیری مشخصات غلظت در لایه ی قبل از سطح یک نمونه سیلیکونی نقش مهمی ایفا می کند.