کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546659 | 1450489 | 2007 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Two-dimensional subthreshold analysis of sub-micron GaN MESFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
An analytical two-dimensional (2D) model to accurately predict the channel potential and electric field distribution in sub-micron GaN MESFET operating in the sub-threshold regime based on (2D) analytical solution of Poisson's equation using superposition principle is presented. The results so obtained for channel potential, electric field, threshold voltage, etc are compared with simulated data using ATLAS 2D device simulator. The model is then extended to predict the current voltage characteristics and the effects of drain induced barrier lowering (DIBL) on the performance. Furthermore, the sub-threshold output characteristics of the device are also interpreted qualitatively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 4–5, April–May 2007, Pages 547–555
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 4–5, April–May 2007, Pages 547–555
نویسندگان
Sneha Kabra, Harsupreet Kaur, Subhasis Haldar, Mridula Gupta, R.S. Gupta,