کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
547834 | 872060 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance comparison of CNFET- and CMOS-based 6T SRAM cell in deep submicron
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents a performance comparison of a carbon nanotube-based field effect (CNFET)- and CMOS-based 6T SRAM cell at the 32 nm technology node. HSPICE simulations, carried out using Berkeley predictive technology model (BPTM), show that for a cell ratio and pull-up ratio of 1, CNFET-based 6T SRAM cell provides an improvement of 21% in read static noise margin (SNM) at VDD=0.4 V. The speed of CNFET cell is 1.84× that of CMOS cell. The standby leakage of CNFET cell is 84% less than CMOS cell. The process parameter variation results in 1.2% change in the read SNM of CNFET cell as compared with a wide variation of around 10.6% in CMOS cell.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 6, June 2009, Pages 979–982
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 6, June 2009, Pages 979–982
نویسندگان
A.K. Kureshi, Mohd. Hasan,