کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
547951 | 872070 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Practical considerations in the design of SRAM cells on SOI
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents the practical issues encountered in designing SRAM cell design on partially depleted SOI, including the effects of floating-body potential and parasitic bipolar. It also discusses the characteristics of single-event upsets (SEU) harden and total-dose radiation harden of SOI SRAM. A fully integrated solution, using a new type memory cell SRAM described.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issue 12, December 2008, Pages 1829–1833
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issue 12, December 2008, Pages 1829–1833
نویسندگان
He Wei, Zhang Zheng-xuan, Zhang En-xia, Yu Wen-jie, Tian Hao, Wang Xi,