کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
547956 | 872070 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A CMOS threshold voltage reference source for very-low-voltage applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper describes a CMOS voltage reference that makes use of weak inversion CMOS transistors and linear resistors, without the need for bipolar transistors. Its operation is analogous to the bandgap reference voltage, but the reference voltage is based on the threshold voltage of an nMOS transistor. The circuit implemented using 0.35 μm n-well CMOS TSMC process generates a reference of 741 mV under just 390 nW for a power supply of only 950 mV. The circuit presented a variation of 39 ppm/°C (after individual resistor trimming) for the −20 to +80 °C temperature range, and produced a line regulation of 25 mV/V for a power supply of up to 3 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issue 12, December 2008, Pages 1867–1873
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issue 12, December 2008, Pages 1867–1873
نویسندگان
Luis H.C. Ferreira, Tales C. Pimenta, Robson L. Moreno,