کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548023 | 872083 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias-tunable electron–spin polarization in an antiparallel double δδ-magnetic-barrier nanostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a theoretical study of spin-dependent electron transport in an antiparallel double δδ-magnetic-barrier nanostructure with an applied bias. It is shown that large spin-polarized current can be achieved in such a device with unidentical strength between two δδ-magnetic-barriers. It also is shown that the degree of electron–spin polarization is strongly dependent upon the applied bias. These interesting properties may provide an alternative scheme to spin-polarize electrons into semiconductors, and this device may be used as a bias-tunable spin filter.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 3, March 2007, Pages 401–405
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 3, March 2007, Pages 401–405
نویسندگان
Mao-Wang Lu, Gui-Lian Zhang, Yong-Hong Kong,