کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548035 | 872089 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxial growth of site-controlled InAs quantum dots on pre-patterned GaAs substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ex situ electron-beam lithography followed by conventional wet etching has been used to pattern small holes 60–150 nm wide, ∼13 nm deep in GaAs substrates. These holes act as preferential nucleation sites for InAs dot growth during subsequent overgrowth. By varying either the InAs deposition amount or the thickness of a GaAs buffer layer, the occupancy over the patterned sites can be controlled. Comparison with growth on a planar substrate shows that preferential nucleation occurs due to a reduction in the apparent critical thickness above the pattern site; the magnitude of this reduction is dependent on the dimensions of the initial pattern.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 12, December 2006, Pages 1436–1439
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 12, December 2006, Pages 1436–1439
نویسندگان
P. Atkinson, S.P. Bremner, D. Anderson, G.A.C. Jones, D.A. Ritchie,