کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5489024 1399594 2017 16 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band gap dependence with temperature of semiconductors from solar cells electrical parameters
ترجمه فارسی عنوان
وابستگی باند با دمای نیمه هادی ها از پارامترهای الکتریکی سلول های خورشیدی
کلمات کلیدی
فاصله باند، نیمه هادی ها، درجه حرارت، سلول های خورشیدی، ولتاژ مدار آزاد، تراکم جریان اتصال کوتاه،
ترجمه چکیده
با استفاده از اندازه گیری های آزمایشی ولتاژ مدار آزاد و تراکم جریان اتصال کوتاه در دماهای مختلف، برای یک سلول خورشیدی، به طور عددی، تکامل باند با درجه حرارت برای نیمه هادی که دستگاه مربوطه را تشکیل می دهد بررسی می کنیم. کاربرد رویکرد در مورد نیمه هادی سیلیکون نتایج رضایت بخش در مقایسه با آثار قبلی را نشان می دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش مقاله
وابستگی باند با دمای نیمه هادی ها از پارامترهای الکتریکی سلول های خورشیدی
چکیده انگلیسی
Using experimental measurements of the open-circuit voltage and the short-circuit current density at different temperatures, for a solar cell, we investigate numerically the band gap evolution with temperature for the semiconductor constituting the concerned device. The application of the approach in the case of silicon semiconductor gives satisfying results compared to previous works.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 17, Issue 1, January 2017, Pages 55-59
نویسندگان
, , ,