کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489205 | 1524352 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal annealing of lattice-matched InGaAs/InAlAs Quantum-Cascade Lasers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Thermal annealing of lattice-matched InGaAs/InAlAs Quantum-Cascade Lasers Thermal annealing of lattice-matched InGaAs/InAlAs Quantum-Cascade Lasers](/preview/png/5489205.png)
چکیده انگلیسی
We describe the evolution of optical power, threshold current, and emission wavelength of a lattice-matched InGaAs/InAlAs Quantum-Cascade Laser (QCL) emitting at 13 μm grown by gas-source molecular-beam epitaxy under thermal annealing. Pieces from the same 2-in wafer were annealed at 600 °C, 650 °C, or 700 °C for 1 h; one control piece remained unannealed. No change in threshold current and emission wavelength was observed. The slope efficiency and maximum emission power increase for the 600 °C anneal, but higher annealing temperatures resulted in degraded performance. This result stands in contrast with the observation that strain-compensated structures cannot withstand annealing temperature of 600 °C. Useful information for post-growth processing steps and the role of interface roughness in QCL performance are obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 258-261
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 258-261
نویسندگان
Sylvain Mathonnière, M.P. Semtsiv, W. Ted Masselink,