کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
548929 872300 2015 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crossbar array of selector-less TaOx/TiO2 bilayer RRAM
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Crossbar array of selector-less TaOx/TiO2 bilayer RRAM
چکیده انگلیسی

In this work, we have implemented self-rectifying TaOx/TiO2 RRAM in a selector-less 6 × 6 crossbar array with various desiring features, including: (1) simple fabrication using only three masks, (2) high self-rectifying ratio up to 103 for sneak current suppression, (3) stable bipolar resistive-switching characteristics without the need for electro-forming and current compliance, (4) data retention time over 104 s, and (5) robust READ and WRITE disturb immunity. Finally, an achievable array size of 1 Mb was simulated using an All-LPU read scheme and a V/3 write scheme.

Figure optionsDownload as PowerPoint slide

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issue 11, November 2015, Pages 2220–2223
نویسندگان
, , , , , ,