کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489358 | 1524366 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MOVPE growth of Ga(PBi) on GaP and GaP on Si with Bi fractions up to 8%
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work we present the first Ga(PBi) structures, grown by metal organic vapor phase epitaxy on GaP and on GaP on Si. By careful characterization with high resolution X-ray diffraction, atomic force microscopy, secondary ion mass spectrometry and scanning transmission electron microscopy, we will show that we have realized high quality Ga(PBi) with Bi fractions over 8%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 151-155
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 151-155
نویسندگان
L. Nattermann, A. Beyer, P. Ludewig, T. Hepp, E. Sterzer, K. Volz,