کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489363 | 1524366 | 2017 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and magnetic properties of MnAs/InAs hybrid structure on GaAs(1Â 1Â 1)B
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We carried out molecular beam epitaxial (MBE) growth of MnAs/InAs hybrid structure on GaAs(1Â 1Â 1)B for spin field effect transistor (spin-FET) applications. We observed good alignment of hexagonal MnAs and cubic InAs epitaxial layers with GaAs(1Â 1Â 1)B by X-ray diffraction (XRD) measurement. We observed smooth surface morphology of MnAs/InAs by atomic force microscopy (AFM), and also observed maze-like magnetic structure by magnetic force microscopy (MFM). We observed easy and hard magnetizations in-plane and out-of-plane directions similar to MnAs/GaAs(1Â 1Â 1)B using superconducting quantum interference device (SQUID) magnetometer. We believe that the MnAs/InAs hybrid structure on GaAs(1Â 1Â 1)B can be a base structure for spin-FETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 86-89
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 86-89
نویسندگان
Md. Earul Islam, Masashi Akabori,