Length distributions of nanowires: Effects of surface diffusion versus nucleation delay

اغلب تصور می شود که مجموعه ای از نانوسیم های نیمه هادی، به دلیل سازماندهی اولیه دانه های رشد مانند قطرات لایتوگرافی قطعه یا حفره ها در بستر، یکنواخت هستند. با این حال، چندین اثر اخیر نشان داده اند که بیشتر توزیع طول نانوسیم گسترده تر از پواسون است. در اینجا، به طور تئوری توزیع طولی نانوسیم های غیر تعاملی که از طریق مجموعه مواد از کل طول پیوندهای آنها رشد می کند و با تاخیر تکوین اولین تک لایه ی نانوسیم، رشد می کند. توزیع طول تحلیلی به دست آمده توسط دو پارامتر که قدرت نفوذ سطحی و نرخ هسته سازی نانوسیم را مشخص می کند کنترل می شود. ما نشان می دهیم که توزیع از شکل متقارن پلای بدون تاخیر هسته ای به یک طیف گسترده تر و نامتقارن برای تاخیرهای طولانی تغییر می کند. در محدوده پیوسته (برای نانوسیمهای به اندازه کافی بلند)، توزیع طولی با یک قانون قدرت برابر یک تابع گاما ناقص داده می شود. ما درباره خواص پوسته پوسته شدن این محلول بحث می کنیم و دستورالعملی برای تحلیل و خیاط سازی هیستوگرام طول آزمایش های نانوسیم ها که برای طیف وسیعی از سیستم های مواد و شرایط رشد باید کار کنیم، ارائه می دهیم.