کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489568 | 1524361 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-quality AlN template grown on a patterned Si(111) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
To obtain a high-quality AlN template on a Si substrate for high-quantum efficiency AlGaN-based deep-UV LED applications, we fabricated a high-density micro-patterned Si(111) substrate. An about 8-µm-thick AlN template was grown on the Si(111) substrate in a metal-organic chemical vapor deposition reactor by using NH3 pulsed-flow multilayer AlN growth and epitaxial lateral overgrowth methods. The template had a small X-ray full width at half-maximum with rocking curves of 620 and 1141â³ for the symmetric and asymmetric (002 and 102) planes. A threading dislocation density at the best region as low as 107 cmâ2 was also obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 468, 15 June 2017, Pages 225-229
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 468, 15 June 2017, Pages 225-229
نویسندگان
Binh Tinh Tran, Hideki Hirayama, Masafumi Jo, Noritoshi Maeda, Daishi Inoue, Tomoka Kikitsu,