کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489639 | 1524370 | 2017 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A RHEED/MBE-STM investigation of the static and dynamic InAs(001) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A RHEED/MBE-STM investigation of the static and dynamic InAs(001) surface A RHEED/MBE-STM investigation of the static and dynamic InAs(001) surface](/preview/png/5489639.png)
چکیده انگلیسی
We report here the temperature-dependent incorporation kinetics of dimeric arsenic in InAs(001) homoepitaxy, using reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Surface reconstructions, in combination with the RHEED investigation have provided insight into the growth of InAs(001), developing an accurate method of controlling the V:III ratio, which has been utilised to probe the low temperature epitaxial growth of indium arsenide epitaxial layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 459, 1 February 2017, Pages 118-123
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 459, 1 February 2017, Pages 118-123
نویسندگان
J.J. Bomphrey, M.J. Ashwin, T.S. Jones,