کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489731 | 1524372 | 2017 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Semipolar AlN and GaN on Si(100): HVPE technology and layer properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hydride vapor phase epitaxy (HVPE) growth of semipolar AlN and GaN layers on planar Si(100) substrates with SiC nanolayer is investigated. It is shown experimentally that the solid-phase epitaxial formation of a specially oriented SiC nucleation layer followed by epitaxy of AlN layer by HVPE at low rates enables growth of aluminum and gallium nitrides in the semipolar direction. For the best GaN(20-23) layers obtained, the full width at half maximum (FWHM) value for the x-ray diffraction rocking curve is 24Â arcmin. The photoluminescence spectrum of the semipolar GaN measured at 4Â K exhibits bands related to basal-plane and prismatic stacking faults (BSF and PSF).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 457, 1 January 2017, Pages 202-206
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 457, 1 January 2017, Pages 202-206
نویسندگان
V. Bessolov, A. Kalmykov, E. Konenkova, S. Kukushkin, A. Myasoedov, N. Poletaev, S. Rodin,