کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489832 | 1524373 | 2016 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fe-doping in hydride vapor-phase epitaxy for semi-insulating gallium nitride
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fe-doping in hydride vapor-phase epitaxy for semi-insulating gallium nitride Fe-doping in hydride vapor-phase epitaxy for semi-insulating gallium nitride](/preview/png/5489832.png)
چکیده انگلیسی
Fe-doping of GaN layers of 3Â in. in diameter and a thickness of 1Â mm in a vertical AIX-HVPE reactor is studied. Ferrocen was used as Fe source. It is shown that a sufficient uniformity of growth conditions, a high purity of undoped GaN layers, and a moderate Fe incorporation of 2Ã1018Â cmâ3 allow for growth of semi-insulating GaN layers with a sufficiently high specific resistivity even at elevated temperature. This makes the material suitable as substrate for electronic power devices at high power or in harsh ambient.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 456, 15 December 2016, Pages 97-100
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 456, 15 December 2016, Pages 97-100
نویسندگان
E. Richter, E. Gridneva, M. Weyers, G. Tränkle,