Effects of the hot zone design during the growth of large size multi-crystalline silicon ingots by the seeded directional solidification process

در این مطالعه، نصب بلوک های عایق در منطقه داغ برای کمک به رشد شمش های سیلیکونی چند کریستالی با وزن 800 الی 100 کیلوگرم از سیلیکون با استفاده از روش احیاء جهت بذر استفاده می شود. یک شبیه سازی عددی جهانی گذرا برای بررسی انتقال حرارت و توده در طی روند رشد انجام شده است. در یک کسر احیاء بالاتر، شیب انبساطی از رابط کریستال و ذوب در نزدیکی دیواره نوعی می تواند در مقایسه با مدل استاندارد به دست آید. کمترین زاویه و بیشترین صرفه جویی در انرژی هنگامی حاصل می شود که بلوک های عایق به سمت یک بلوک جامد جهت و به قسمت کم عایق جانبی افزوده می شوند. نتایج شبیه سازی برای این طراحی نیز کاهش سرعت ذوب را نشان می دهد. متوسط ​​غلظت اکسیژن در طول رابط کریستال و ذوب در مقایسه با استاندارد یکسان است.