کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489898 | 1524377 | 2016 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and scintillation properties of 3Â in. diameter Ce doped Gd3Ga3Al2O12 scintillation single crystal
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and scintillation properties of 3Â in. diameter Ce doped Gd3Ga3Al2O12 scintillation single crystal Growth and scintillation properties of 3Â in. diameter Ce doped Gd3Ga3Al2O12 scintillation single crystal](/preview/png/5489898.png)
چکیده انگلیسی
The 3Â in. size Ce1%:Gd3Al2Ga3O12 single crystals were prepared by the Czochralski (Cz) method. Optical constants were measured. Chemical composition analysis and uniformity of scintillation decay and light yield along growth direction were evaluated. The timing resolution measurement for a pair of 3Â mmÃ3Â mmÃ3Â mm size Ce:GAGG scintillator crystals was performed using Si-PMs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 452, 15 October 2016, Pages 81-84
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 452, 15 October 2016, Pages 81-84
نویسندگان
Kei Kamada, Yasuhiro Shoji, Vladimir V. Kochurikhin, Satoshi Okumura, Seiichi Yamamoto, Aya Nagura, Jung Yeol Yeom, Shunsuke Kurosawa, Yuui Yokota, Yuji Ohashi, Martin Nikl, Akira Yoshikawa,