Energy-loss rate of hot electrons due to confined acoustic phonon modes in a semiconductor quantum wire under transverse electric field

میزان خسارت الکتریکی انرژی از طریق فونونهای آکوستیک در یک سیم کوانتومی نیمه هادی جاسازی شده مقطع دایره ای در حضور میدان الکتریکی خارجی با استفاده از نظریه پتانسیل تغییر شکل، مورد بررسی قرار گرفته است. اثر محرمانه اندازه گیری بر تغییر حالت های صوتی-فونون در نظر گرفته شده است. نرخ از دست دادن انرژی به عنوان عملکردی از قدرت میدان الکتریکی، چگالی الکترون و دمای الکترون به دست می آید. محاسبات ما نشان می دهد که میدان الکتریکی عمود بر محور سیم می تواند به عنوان یک ابزار مهم برای کنترل فرایندهای از دست دادن انرژی در نانوسیم ها مورد استفاده قرار گیرد.