کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5492030 1525137 2017 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Drift mechanism of mass transfer on heterogeneous reaction in crystalline silicon substrate
ترجمه فارسی عنوان
مکانیزم رانش انتقال جرم بر روی واکنش ناهمگن در بستر سیلیکون بلوری
کلمات کلیدی
هسته، اپیتاکسی فیلم نازک، کاربید سیلیکون، نیمه هادی های گسترده باند گاز، انتقال فاز،
ترجمه چکیده
این کار با هدف بررسی وابستگی فشار ضخامت پلی اتیلن سیلیکون کاربید اپیتاکسیال که از سیلیکون بلور به علت واکنش ناهمگن با مونوکسید کربن گاز بررسی می شود، بررسی شده است. معلوم شد که این وابستگی حداکثر روشن را نشان می دهد. در افزایش فشار بیشتر ضخامت فیلم کاهش می یابد. مدل نظری توسعه یافته است که این ویژگی شخصیت وابستگی به این واقعیت را نشان می دهد که محصول واکنش سیلیکون منوکسید مهار ریزش یک واکنش گاز را از طریق کانال های یک شبکه کریستال، و به این ترتیب قطر هیدرولیکی خود را کاهش می دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
This work aims to study the pressure dependence of the thickness of the epitaxial silicon carbide film growing from crystalline silicon due to the heterogeneous reaction with gaseous carbon monoxide. It turned out that this dependence exhibits the clear maximum. On further pressure increasing the film thickness decreases. The theoretical model has been developed which explains such a character of the dependence by the fact that the gaseous silicon monoxide reaction product inhibits the drift of the gaseous reagent through the channels of a crystal lattice, thus decreasing their hydraulic diameter.177
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 512, 1 May 2017, Pages 26-31
نویسندگان
, ,