Optical transitions in two-dimensional topological insulators with point defects

خواص غیر متعارف حالت های الکترونیکی در مقره های توپولوژیک نه تنها به سطوح و مرزهای دولتی بستگی دارند، بلکه در حالت های متصل به نقاط ساختاری نیز قرار دارند. ما روشن می کنیم که چگونه خصوصیات غیر معمول ناحیه های محدود ناشی از نقص در طیف جذب نوری در مقره های توپولوژیکی دو بعدی ظاهر می شود. محاسبات برای نقص با پتانسیل کم برد انجام می شود. ما دریافتیم که نقص ها باعث ظهور مشخصه های خاصی در طیف جذب می شوند که یک ویژگی ذاتی از عایق های توپولوژیک هستند. آنها دارای دو یا سه قله جذب هستند که به علت انتقال درون مرکز بین حالتهای متخلخل مانند سوراخ و الکترون هستند.