کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5775217 1413578 2017 17 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Existence and uniqueness for a two-temperature energy-transport model for semiconductors
ترجمه فارسی عنوان
وجود و منحصر به فرد بودن یک مدل دو بعدی انتقال انرژی برای نیمه هادی ها
کلمات کلیدی
مدل های حمل و نقل انرژی، نیمه هادی ها، وجود و منحصر به فرد،
ترجمه چکیده
یک نتیجه وجود و منحصر به فرد برای یک مدل انتقال انرژی انرژی دو درجه ای، در حالت ثابت حالت یک بعدی، با توجه به دامنه محدود و شرایط مرزی فیزیکی مناسب ثابت شده است. این مدل در توضیح اثرات حرارتی در نیمه هادی ها بوجود می آید، دو درجه حرارت برای الکترون و دمای شبکه را نشان می دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه ریاضیات آنالیز ریاضی
چکیده انگلیسی
An existence and uniqueness result for a two-temperature energy-transport model is proved, in the one-dimensional steady-state case, considering a bounded domain and physically appropriate boundary conditions. The model arises in the description of heat effects in semiconductors, the two temperatures account for the electron and the lattice temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Mathematical Analysis and Applications - Volume 449, Issue 2, 15 May 2017, Pages 1248-1264
نویسندگان
, ,