کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5789283 | 1414308 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Large-scale fabrication of field-effect transistors based on solution-grown organic single crystals
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستورهای میدان مغناطیسی با اندازه گیری جامد بر اساس کریستال های آلی تولید شده با محلول
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستورهای تک کریستال آلی، مقیاس بزرگ، تحرک بالا، فرآیند حل،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
A simple solution processing method was developed to grow large-scale well-aligned single crystals including 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene (TIPS-pentacene), anthracene, tetracene, perylene, C60 and tetracyanoquinodimethane. As pinned by a solid needle, a droplet of semiconductor solution dried into single-crystal arrays on a 1 cm à 2 cm substrate. TIPS-pentacene was used to demonstrate the fabrication of hundreds of field-effect transistors (FETs) with the hole mobility as high as 6.46 cm2 Vâ1 sâ1. As such, this work provides a high-throughput, yet efficient approach for statistical examination on the FET performance of organic single crystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Science Bulletin - Volume 60, Issue 12, June 2015, Pages 1122-1127
Journal: Science Bulletin - Volume 60, Issue 12, June 2015, Pages 1122-1127
نویسندگان
Shuang Liu, Jia-Ke Wu, Cong-Cheng Fan, Guo-Biao Xue, Hong-Zheng Chen, Huolin L. Xin, Han-Ying Li,