کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
614500 | 1454818 | 2015 | 21 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of ultra-smooth surface atomic step morphology on chemical mechanical polishing (CMP) performances of sapphire and SiC wafers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
شیمی کلوئیدی و سطحی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Towards sapphire and SiC wafer, clear and regular atomic step morphology could be observed all-over the surface via AFM. However, the variations of atomic step widths and step directions are different on the whole of different wafer surfaces: that on sapphire wafer are uniform, while that on SiC wafer are distinct. The effects of atomic step width on removal rate are studied. Removal model of super-hard wafer to realize atomically ultra-smooth surface is proposed. The variations of atomic step morphology toward different defects on sapphire and SiC wafers surface are analyzed, and the formation mechanism is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Tribology International - Volume 87, July 2015, Pages 145-150
Journal: Tribology International - Volume 87, July 2015, Pages 145-150
نویسندگان
Yan Zhou, Guoshun Pan, Xiaolei Shi, Suman Zhang, Hua Gong, Guihai Luo,