کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
663560 | 1458187 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dynamical cooling of semiconductor by contact layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
جریان سیال و فرایندهای انتقال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The subject of this paper is the presentation of a simple theoretical model of cooling of a semiconductor. The problem of the unsteady behaviour both of the semiconductor and of the cold plate that are in touch by the contact layer was studied analytically. The influence of the parameters of the materials and the cooling conditions was investigated. The results in the form of an analytical formula and graphs are presented and the heat stream is compared with the experimental results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Heat and Mass Transfer - Volume 48, Issue 14, July 2005, Pages 2922-2925
Journal: International Journal of Heat and Mass Transfer - Volume 48, Issue 14, July 2005, Pages 2922-2925
نویسندگان
Zygmunt Lipnicki, Fabian Król,