کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946009 | 1450521 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The results described within this paper provide an up-to-date description of the most relevant trapping processes that impact on the stability of threshold voltage and on-resistance in GaN-based transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 80, January 2018, Pages 257-265
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 80, January 2018, Pages 257-265
نویسندگان
G. Meneghesso, M. Meneghini, C. De Santi, M. Ruzzarin, E. Zanoni,