کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
6946009 1450521 2018 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors
چکیده انگلیسی
The results described within this paper provide an up-to-date description of the most relevant trapping processes that impact on the stability of threshold voltage and on-resistance in GaN-based transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 80, January 2018, Pages 257-265
نویسندگان
, , , , ,