کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946389 | 1450542 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate](/preview/png/6946389.png)
چکیده انگلیسی
The results presented within this paper provide an up-to-date overview of the main advantages and limitations of GaN-based MIS HEMTs for power applications, on the related characterization techniques and on the possible strategies for improving device performance and reliability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 58, March 2016, Pages 151-157
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 58, March 2016, Pages 151-157
نویسندگان
Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, Davide Bisi, Isabella Rossetto, Tian-Li Wu, Marleen Van Hove, Denis Marcon, Steve Stoffels, Stefaan Decoutere, Enrico Zanoni,