کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946812 | 1450547 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Prognostic methodology for remaining useful life estimation of retention loss in nanoscale resistive switching memory
ترجمه فارسی عنوان
روش پیش بینی برای تخمین عمر باقیمانده از دست دادن احتمالی در حافظه سوئیچینگ مقاومتی نانو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نفوذ، مهاجرت یون سر و صدا، تراکم طیفی قدرت تعویض مقاومت، از دست دادن احتباس،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Noise is a key indicator of the physical phenomenon underlying device operation, defect density and degradation trends. The analysis of noise in the frequency domain and the exponent (value of slope, α on logarithmic scale) of the power spectral density (PSD) can provide useful insight on the operating and failure mechanism of any device/system. We shall use this noise as a prognostic indicator to detect the instant at which the retention loss of a non-volatile memory device begins to occur. A qualitative perspective to prognostic management of a resistive random access memory (RRAM) device is provided in this work. Our method of detecting retention loss involves the unique observation of a slope of α = 3/2, which arises due to diffusion or ionic migration phenomenon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1729-1734
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1729-1734
نویسندگان
Nagarajan Raghavan, Daniel D. Frey, Kin Leong Pey,