کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946852 | 1450547 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Focused ion beam contact to non-volatile memory cells
ترجمه فارسی عنوان
تماس با پرتو یون متمرکز به سلول های حافظه غیر فرار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
شارژ، پرتو یون متمرکز شده، ویرایش مدار، انعطاف پذیری، حافظه غیر فرار
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Calculations and measurement results on an exemplary floating gate memory cell show intact cell structure with limited retention time after FIB modification. The presented procedure allows the measurement and control of the previously unavailable floating gate current and voltage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1798-1801
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1798-1801
نویسندگان
Clemens Helfmeier, Rudolf Schlangen, Christian Boit,