کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946908 | 1450547 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetic Field Imaging for non destructive 3D IC testing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Magnetic Field Imaging for non destructive 3D IC testing Magnetic Field Imaging for non destructive 3D IC testing](/preview/png/6946908.png)
چکیده انگلیسی
Due to magnetic fields ability to penetrate through all materials used by the semiconductor industry, a unique ability not found in any other techniques, it has become an important technique for detecting shorts, leakages and opens in multi stacked Through Silicon Via samples. We show in this paper how Magnetic Field Imaging is being used to image the current in a TSV stacked silicon device with a new 3D analysis algorithm of the distance from the top of the stacked device to the current path.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 2093-2098
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 2093-2098
نویسندگان
J. Gaudestad, A. Orozco,