کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
700790 | 1460803 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on low temperature growth and formation mechanism of hexagonal diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study on low temperature growth and formation mechanism of hexagonal diamond Study on low temperature growth and formation mechanism of hexagonal diamond](/preview/png/700790.png)
چکیده انگلیسی
Synthesis of hexagonal diamond on Al/Ni coated thermally oxidized SiO2 covered Si wafer substrate with photo-enhanced chemical vapor deposition (CVD) method at 450 °C is reported here. The Raman spectroscopy on grown samples shows a 1322 cm− 1 peak with 75.4 cm− 1 full width at half maximum (FWHM). The X-ray diffraction (XRD) data shows hexagonal diamond peaks. Various stages of hexagonal diamond formation are observed in the scanning electron microscope (SEM) images. Based on these images, a mechanism of hexagonal diamond nucleation and growth is proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volumes 27–28, July–August 2012, Pages 76–81
Journal: Diamond and Related Materials - Volumes 27–28, July–August 2012, Pages 76–81
نویسندگان
KyungNam Kang, Yoonyoung Jin, Jeonghwan Kim, Pratul K. Ajmera,